特許

J-GLOBAL ID：200903030732046900

半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法

発明者： 大島 成夫 ,  渡辺 信夫
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189077
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】ランダムアクセスタイムを低下させることなく、データ読み出しの高速化が図れる半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法を提供する。【解決手段】ランダムアクセスタイムtRACとランダムサイクルタイムtRCを高速化するための、ローアクセスコマンド(ACT)とカラムアクセスコマンド(RDリード)を1つのパケットとして、連続する2クロックサイクルでFCRAMに与えることを特徴としている。この際、リード/ライトの定義を第1のコマンドで行い、且つメモリセルアレイのデコードアドレスも第1のコマンドで取り込んでランダムアクセスタイムtRACの更なる高速化を実現する。また、メモリセルアレイのデコードアドレスを第1のコマンドで取り込むにあたり、従来のSDR/DDR-SDRAMのコマンドコントロールピンをアドレスピンに転用してピン数の増加を防いでいる。

請求項（抜粋）：

第1及び第2のコマンドを入力し、メモリセルアレイからのランダムなデータの読み出しと書き込みをクロック信号に同期して行う半導体記憶装置であって、連続する2つのクロックサイクルで、ローアクセスコマンドとデータ読み出しのためのカラムアクセスコマンドとを1つのパケットとして与えるようにして成り、前記第1のコマンドで読み出しか書き込みかの定義を行うとともに、前記メモリセルアレイのアッパー側のデコードアドレスを取り込み、前記第2のコマンドで前記メモリセルアレイのロワー側のデコードアドレスを取り込むことを特徴とする半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S

Fターム (4件)：

5B024AA15 ,  5B024BA21 ,  5B024CA11 ,  5B024CA21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置の動作制御方法および半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076045   出願人：富士通株式会社
• 同期型半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-251604   出願人：株式会社東芝