特許

J-GLOBAL ID：200903030777712499

基板表面処理装置及び方法

発明者： 鈴木 直樹 ,  西田 一人 ,  冨田 和之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268801
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073862
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 基板に対する過剰なプラズマ処理を防止して基板の品質を維持することができる、基板表面処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 反応室110内にて基板109の表面をプラズマ処理する場合、発光分光分析器141又は質量分析器142と、制御装置150とを備え、基板に含まれる例えば臭素を検出時には、プラズマ中のイオンのエネルギを低減させる制御を行い、基板の不純物の除去終了を検出したときには、基板に対する表面処理を終了するように制御するようにした。よって、上記臭素が基板に再付着し基板を腐食するのを防止することができ、又、不純物の除去が終了したときには、基板に対して過剰に上記イオンが照射されるのを防止し基板へのダメージを低減することができ、基板の品質を維持することができる。

請求項（抜粋）：

反応室(110)内に配置した基板(109)に対して該反応室内で発生させたプラズマ中のイオンにより上記基板の表面処理を行う基板表面処理装置であって、上記反応室に取り付けられ、上記基板を構成する成分が上記表面処理により当該基板から分離されたか否か、及び上記基板表面に付着している不純物が上記表面処理により除去されたか否かの少なくとも一方を検出する検出装置(140)と、上記検出装置による検出情報に基づいて、上記基板構成成分の上記分離が生じたときには上記プラズマ中の上記イオンのエネルギーを低減させる制御を行い、上記不純物の除去が終了したときには当該表面処理を終了する制御を行う制御装置(150)と、を備えたことを特徴とする基板表面処理装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/32

FI (3件)：

C23F 4/00 A ,  H05K 3/26 A ,  H05K 3/32 B

Fターム (28件)：

4K057DA01 ,  4K057DA14 ,  4K057DB11 ,  4K057DD01 ,  4K057DD02 ,  4K057DE14 ,  4K057DG08 ,  4K057DG15 ,  4K057DJ02 ,  4K057DM02 ,  4K057DM28 ,  4K057DM31 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5E319AC01 ,  5E319BB16 ,  5E319CC61 ,  5E319CD01 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343EE08 ,  5E343EE36 ,  5E343EE46 ,  5E343FF23 ,  5E343GG20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-189924
  
• ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-249960   出願人：日本電気株式会社
• 成膜処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023593   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-298181