特許
J-GLOBAL ID：200903030809777369

光電子集積回路装置の製造方法

発明者：
奥洞 明彦

奥洞 明彦 について

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田中 清嗣

田中 清嗣 について

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平林 崇之

平林 崇之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238895
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074341
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 高速動作が可能で信頼性も高い光電子集積回路装置を容易にしかも高い生産性で製造する。【構成】 GaAs基板1上にエッチングストッパー膜2を介してp型コンタクト層3、p型クラッド層4、活性層5、n型クラッド層6およびn型コンタクト層7を順次形成し、n型コンタクト層7上にn側電極8およびバリアメタル膜9を形成した後、各レーザーダイオード間の部分の層を無選択エッチングにより除去してGaAs基板1に達する素子分離溝10を形成する。次に、電子回路部12およびバンプメッキ電極13が形成されたSi基板11上にGaAs基板1をフリップチップ実装した後、GaAs基板1をその裏面側からエッチングストッパー膜2を用いて選択エッチングすることにより除去し、各レーザーダイオードを分離する。
請求項（抜粋）：
第1の基板の一方の主面上にエッチングストッパー膜を介して複数の光素子を形成する層を形成する工程と、電子回路が形成された第2の基板の一方の主面上に上記第1の基板の上記一方の主面側を上記複数の光素子と上記電子回路とが所定の配置で接続されるように接着する工程と、上記エッチングストッパー膜を用いて上記第1の基板をその他方の主面側からエッチングすることにより上記第1の基板を除去する工程とを有する光電子集積回路装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/15 ,  G02B 6/13 ,  H01L 31/108 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
G02B 6/12 M ,  H01L 31/10 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (11件)
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