特許
J-GLOBAL ID:200903030821450987

シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-179473
公開番号(公開出願番号):特開2009-016715
出願日: 2007年07月09日
公開日(公表日): 2009年01月22日
要約:
【課題】シールド性と、放熱性がよく、小型・薄型化が容易で、安価に製造できる高周波モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板の主面上にグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設けた高周波モジュールであって、シールド層を導電性樹脂とし、その下端がグランドパターンに接続されるように構成するので、シールド性と放熱性がよく、小型・薄型化が容易である。製造方法としては複数の単位区画を有する大面積基板を用い、予め各単位区画に回路を形成し、樹脂のモールドと導電性ペーストの印刷工程を経た後切り分けるので、高周波モジュールを安価に製造できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、 前記シールド層は、導電性樹脂層からなり、 前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。
IPC (4件):
H05K 9/00 ,  H01L 23/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
H05K9/00 Q ,  H05K9/00 U ,  H01L23/00 C ,  H01L23/30 B
Fターム (16件):
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109EC06 ,  4M109EC07 ,  4M109EE04 ,  4M109EE07 ,  5E321AA02 ,  5E321AA17 ,  5E321AA22 ,  5E321BB32 ,  5E321BB35 ,  5E321CC16 ,  5E321GG05 ,  5E321GH03
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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