特許

J-GLOBAL ID：200903030849176597

厚膜形成用プラズマCVD装置

発明者： 澤井 巳喜夫 ,  辻 理
出願人/特許権者： 株式会社サムコインターナショナル研究所
代理人 (1件)： 小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-260156
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【目的】 高速でシリコンや酸化シリコンの成膜を行なうことのできるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応室11内に上部電極12と、被コーティング物18を載置する下部電極13とを略平行に配設し、被コーティング物の上表面よりも高い位置で被コーティング物の周囲を囲う第3電極16を設ける。シリコンアルコキシド系原料ガスを反応室内に導入し、上部電極及び第3電極を接地し、高周波電力24を、整合回路23を介して下部電極13に投入する。【効果】 下部電極が負となるセルフバイアスが生成され、下部電極近傍にイオンシースが生成される。イオンシースにより、プラズマ中で生成されたイオンが加速され、被コーティング物の表面に高速で成膜が行なわれる。接地第3電極16によりイオンシースの外側への膨出が抑制され、余分な箇所へのパーティクルの堆積が防止される。

請求項（抜粋）：

a)反応室内に上部電極と、被コーティング物を載置する下部電極とを略平行に配設し、b)被コーティング物の上表面よりも高い位置で被コーティング物の周囲を囲う第3電極を設け、c)原料としてシリコンアルコキシド系を含む有機ケイ素化合物を使用し、d)上部電極及び第3電極を接地し、高周波電源を、整合回路を介して下部電極に接続した、ことを特徴とする厚膜形成用プラズマCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  G02B 6/13

FI (2件)：

C23C 16/50 ,  G02B 6/12 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157469   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140029   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 光導波路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136352   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-220506