特許

J-GLOBAL ID：200903030849547820

電界効果トランジスタ

発明者： 田中 秀和 ,  川合 知二 ,  神吉 輝夫 ,  朴 影根
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003011300
公開番号（公開出願番号）：WO2004-023563
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

電界効果トランジスタは、50nm以下の膜厚を有し、0°C以上で強磁性を示すBa系Mn酸化物からなる強磁性層と、誘電体または強誘電体からなる誘電体層とが接合されてなっている。これにより、0°C以上で、磁性、電気輸送特性および/または磁気抵抗効果を制御することができる。

請求項（抜粋）：

50nm以下の膜厚を有し、0°C以上で強磁性を示すBa系Mn酸化物からなる強磁性層と、 誘電体または強誘電体からなる誘電体層とが接合されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (5件)：

H01L29/82 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617T ,  H01L27/10 444A

Fターム (14件)：

5F083FR05 ,  5F083JA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44