特許

J-GLOBAL ID：200903030857178523

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 木村 明隆 ,  笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040891
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 良好な結晶を形成するための結晶成長方法を提供することによって、半導体層の結晶性の良い窒化ガリウム系発光素子を実現する。【解決手段】 基板上に、マグネシウムが添加された一般式AlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される半導体層を形成した後に、前記半導体層上に、一層または複数層の一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1) で表される半導体層を形成する。マグネシウムが添加されたAlxGa1-xN(0≦x≦1)層は、珪素が添加されたAlxGa1-xN(0≦x≦1)層またはアンドープのAlxGa1-xN(0≦x≦1)層に比べ、結晶性が良いために、その上に形成された窒化ガリウム系半導体各層の結晶性の悪化を引き起こすことがない。

請求項（抜粋）：

基板上に、マグネシウムが添加された一般式AlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される半導体層を形成した後に、前記半導体層上に活性層を含む複数層の一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1) で表される半導体層を形成する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-131435   出願人：昭和電工株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝