特許
J-GLOBAL ID：200903084774415003

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321905
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム・インジウムを発光層とするnサイドアップ型の積層体からなる高出力で単色性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を提供する。【構成】 格子不整合基板とp型不純物内在のクラッド層との中間に第1のAlx Gay Inz Va N1-a 中間層を、p型不純物内在のクラッド層と発光層の間に第2のAlx Gay Inz Va N1-a 中間層を挿入する積層構成とする。【効果】 発光の単色性に優れる高出力の発光素子が提供される。
請求項（抜粋）：
基板結晶上にAl<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> V<SB>a</SB> N<SB>1-a</SB> 層(但し、Vは窒素原子以外の元素周期律第V族元素、x+y+z=1、0≦x,y,z≦1、0≦a<1)からなる第1の中間層、該中間層上にp形不純物をドープした一般式Al<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> V<SB>a</SB> N<SB>1-a</SB> (但し、Vは窒素原子以外の元素周期律第V族元素、x+y+z=1、0≦x,y,z≦1、0≦a<1)で表わされるクラッド層、該クラッド層の上にAl<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> V<SB>a</SB> N<SB>1-a</SB> (但し、Vは窒素原子以外の元素周期律第V族元素、x+y+z=1、0≦x,y,z≦1、0≦a<1)からなる第2の中間層、該第2の中間層の上にp形不純物の濃度を1×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>未満とするインジウム含有濃度を異にする多相構造からなる窒化ガリウム・インジウム(Ga<SB>x</SB> In<SB>y</SB> N;x+y=1、0≦x,y≦1)発光層及び該発光層上にn型のAl<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> V<SB>a</SB> N<SB>1-a</SB> 層(但し、Vは窒素原子以外の元素周期律第V族元素、x+y+z=1、0≦x,y,z≦1、0≦a<1)を順次積層し電極を付した構成を具備したIII 族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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