下層膜形成用材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315776
公開番号（公開出願番号）：特開2008-129423
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成できる下層膜形成用材料を提供する。【解決手段】基板とレジスト膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)[式(A1-1)中、R1〜R5は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよく有していなくてもよいヒドロキシフェニル基であり;R6は水素原子または炭素数1〜5のアルキル基である。]で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。[化1]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板とレジスト膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、フラーレンC60のフラーレン骨格上に下記一般式(A1-1)で表される部分構造を有するフラーレン誘導体(A1-1)を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , C09D 5/00 , C09D 7/12 , C09D 201/00

FI (5件)：

G03F7/11 503 , H01L21/30 573 , C09D5/00 D , C09D7/12 , C09D201/00

Fターム (19件)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025CB29 , 2H025CC17 , 2H025DA23 , 2H025DA27 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 4J038GA03 , 4J038JA04 , 4J038JA64 , 4J038KA03 , 4J038NA04 , 5F046NA18 , 5F046NA19

引用特許：

出願人引用 (5件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社
リソグラフィー用下地材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-343436 出願人：東京応化工業株式会社
半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-157397 出願人：富士通株式会社

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