特許
J-GLOBAL ID:200903030926809085

半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、該セラミックヒータの製造方法および該セラミックヒータの製造システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-219671
公開番号(公開出願番号):特開2002-083668
出願日: 2000年07月19日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 短絡等を発生させず、比較的低コストで、精密なパターンの抵抗発熱体を形成することができるセラミックヒータの製造方法を提供すること。【解決手段】 セラミック基板表面の所定領域に導体層を形成した後、前記導体層にレーザ光を照射してその一部除去することにより、所定パターンの抵抗発熱体を形成することを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
請求項(抜粋):
セラミック基板上に抵抗発熱体が形成されたセラミックヒータであって、前記抵抗発熱体にトリミングが施されてなることを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (7件):
H05B 3/20 328 ,  B23K 26/00 ,  C04B 41/88 ,  H01L 21/304 621 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/16 ,  B23K101:36
FI (9件):
H05B 3/20 328 ,  B23K 26/00 C ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 M ,  C04B 41/88 P ,  H01L 21/304 621 C ,  H05B 3/10 A ,  H05B 3/16 ,  B23K101:36
Fターム (28件):
3K034AA04 ,  3K034AA16 ,  3K034AA34 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB04 ,  3K092QB08 ,  3K092QB12 ,  3K092QB18 ,  3K092QB44 ,  3K092QB45 ,  3K092QB69 ,  3K092QB76 ,  3K092QB80 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092VV19 ,  3K092VV40 ,  4E068AC00 ,  4E068CA14 ,  4E068CB02 ,  4E068CC02 ,  4E068DA09
引用特許:
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る