特許

J-GLOBAL ID：200903030939213238

面発光型半導体レーザ素子

発明者： 古沢 浩太郎 ,  竹内 邦生 ,  森 和思 ,  冨永 浩司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081777
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289033
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】集積性に優れ、かつ、容易に作製することが可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この面発光型半導体レーザ素子は、下部多層反射膜2と、下部多層反射膜2上に形成された発光層3と、発光層3上に形成された上部多層反射膜4とを備えている。そして、下部多層反射膜2および上部多層反射膜4のうちの少なくとも1層は、発光層3の発光部3aに対応する領域の少なくとも一部に位置し、実質的にλ/4n(λ:発振波長、n:屈折率)の厚みを有する第1領域と、第1領域以外の領域に位置し、実質的にλ/4n以外の厚みを有する第2領域とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1多層反射膜と、 前記第1多層反射膜上に形成された活性層と、 前記活性層上に形成された第2多層反射膜とを備え、 前記第1多層反射膜および前記第2多層反射膜のうちの少なくとも1層は、 前記活性層に対応する領域の少なくとも一部に位置し、実質的にλ/4n(λ:発振波長、n:屈折率)の厚みを有する第1領域と、 前記第1領域以外の領域に位置し、実質的にλ/4n以外の厚みを有する第2領域とを含む、面発光型半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (12件)：

5F073AA07 ,  5F073AA26 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB16 ,  5F073CA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA27 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153660   出願人：キヤノン株式会社
• 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-091802   出願人：セイコーエプソン株式会社