特許

J-GLOBAL ID：200903030969371830

半導体装置およびその製造方法

発明者： 畑内 和士 ,  島本 晴夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080196
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280401
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 簡易な製造工程で半導体素子と基板との間を隙間なく良好にフリップチップ接続できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、表面にバンプ4が形成された半導体チップ1と、その半導体チップ1のバンプ4が形成された面に設けられた接着シート5とを備えている。接着シート5は、フィルム基材層5bと、フィルム基材層5bを半導体チップ1に接着するためのフィルム接着層5aとを有し、かつフリップチップ接続時の加熱により一部が溶融するとともに加圧により破断する構成を有している。

請求項（抜粋）：

表面にバンプが形成されたフリップチップ素子と、前記フリップチップ素子の前記バンプが形成された面に設けられたシートとを備え、前記シートは、基材層と、前記基材層を前記フリップチップ素子に接着するためのフリップチップ側接着層とを有し、かつフリップチップ接続時の加熱により一部が溶融するとともに加圧により破断する構成を有することを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 R

Fターム (19件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109BA07 ,  4M109CA22 ,  4M109DB15 ,  4M109EA02 ,  4M109EE01 ,  5F044LL11 ,  5F044LL13 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061BA07 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061CB05 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-168994   出願人：日東電工株式会社
• 半導体装置とその製造方法、実装方法および用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113976   出願人：松下電工株式会社
• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304148   出願人：日東電工株式会社
• 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-207475   出願人：ソニー株式会社