特許
J-GLOBAL ID：200903039887471451

半導体装置の製法

発明者：
桑村 誠

桑村 誠 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304148
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299333
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】サイズ変更等に対しても問題なく対応でき、煩雑な工程を経由することなく短時間で半導体装置を製造することのできる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】複数の突起状電極部2が形成されたウェハ1を準備し、このウェハ1の突起状電極部2形成面に封止用樹脂シート4を載置する。ついで、加熱下で、上記ウェハ1と封止用樹脂シート4を貼り合わせてウェハ1に上記封止用樹脂シート4からなる樹脂層を積層形成する。そして、全体に上記樹脂層が積層形成されたウェハ1を所定の大きさに切断することにより半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
複数の突起状電極部が形成されたウェハの、突起状電極部形成面に封止用樹脂シートを載置する工程と、加熱下で、上記ウェハと封止用樹脂シートを貼り合わせて上記封止用樹脂シートからなる樹脂層をウェハに積層形成する工程と、上記樹脂層が積層形成されたウェハを所定の大きさに切断する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
IPC (3件)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (9件)：
5F044KK05 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA03 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13 ,  5F061DA15
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM