特許
J-GLOBAL ID：200903030975371923
平型マグネトロン
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 吉田 裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-527763
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502783
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
電界は、アノードと平らな配列を有するターゲットとの間に第1の方向に与えられる。磁界は、磁力線が第1の方向にほぼ垂直な第2の方向を向くように与えられる。マグネット構造は、車輪のスポークのように水平面内を半径方向に延びる永久磁石から、およびスポークの対向端部から垂直方向に延びる磁化できる極片から形成することができる。永久磁石および極片は井戸を形成する。ターゲットは、その平らな配列が磁力線と同じ方向になるように井戸内に配置される。不活性ガスの分子は、井戸を通って流れる。井戸内の電子は、第1および第2の方向にほぼ垂直な第3の方向に移動する。電子は不活性ガスの分子をイオン化する。イオンはターゲットに引き付けられ、ターゲットの表面から原子をスパッタする。スパッタされた原子は基板上に堆積する。マグネット構造の半径方向の外側の壁部近くの井戸内のリフレクタ、および一実施形態の場合には、マグネット構造の半径方向の内側の壁部の近くの井戸内のリフレクタは、電子が永久磁石に衝突するのを防止する。リフレクタおよびアノードは、流体(例えば、水)により冷却される。結果として得られるマグネトロンは、従来技術の場合、基板上にターゲットから材料の約35%しかスパッタできなかったのと比較すると、基板上にターゲットから65%もの材料をスパッタする。
請求項（抜粋）：
基板上に堆積するためにスパッタされた原子を供給するための装置であって、
ターゲットと、
前記ターゲット上の電位に対して正の電位を有し、第1の方向に、前記ターゲットとの間に電界を発生するためのアノードと、
前記第1の方向にほぼ垂直な第2の方向に磁界を発生するために、前記アノードおよび前記ターゲットに対して配置されるマグネット構造とを備え、
前記ターゲットが、前記磁界の方向にほぼ対応する方向に配置される装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4K029AA24
, 4K029BD01
, 4K029DA04
, 4K029DC28
, 4K029DC42
, 4K029DC43
, 4K029EA02
