特許
J-GLOBAL ID：200903030994295421

力学量検出装置の製造方法

発明者：
吉原 晋二

吉原 晋二 について

, 
鈴木 康利

鈴木 康利 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122009
公開番号（公開出願番号）：特開2003-315187
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置の製造方法において、検出部が検出した値を処理する処理回路部を半導体チップに設けたとしても、処理回路部に形成された素子の特性が変動してしまうのを抑制すること。【解決手段】 ガラス層40に熱を加えて焼成させることにより半導体チップ30を金属ステム20に接合する接合工程を実行した後に、水素を含むガスが導入されたチャンバー90及びヒーターパネル91を用いて圧力検出装置100に熱処理を施すアニール工程を実行している。その結果、接合工程前後において、シリコン酸化膜86に含まれる水素量の変動を抑制することができるため、処理回路部70に形成されたトランジスタTr1、Tr2の注入効率の変動を抑制することができ、トランジスタTr1、Tr2のベース電流の変動、電流増幅率の変動を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
力学量の印加を検出する検出部を有した半導体チップが接合層を介して台座に接合された力学量検出装置において、前記検出部と該検出部が検出した値を処理する処理回路部を有した前記半導体チップを準備する準備工程と、前記台座上に前記接合層を配設し、前記接合層上に前記半導体チップを配設する配設工程と、前記接合層に熱処理を施し、前記半導体チップを前記台座に接合する接合工程と、前記接合工程を実行した後に、少なくとも水素を含む雰囲気中にて前記半導体チップに熱処理を施すアニール工程とを備えたことを特徴とする力学量検出装置の製造方法。
IPC (4件)：
G01L 9/00 303 ,  G01L 9/00 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/84
FI (5件)：
G01L 9/00 303 G ,  G01L 9/00 303 J ,  G01L 9/00 303 T ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/84 Z
Fターム (28件)：
2F055AA21 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG49 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA05 ,  4M112CA08 ,  4M112CA12 ,  4M112DA07 ,  4M112DA13 ,  4M112DA14 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112FA02 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331676   出願人：株式会社フジクラ
  • 圧力センサの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-180754   出願人：株式会社デンソー
  • 特開昭59-217375

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