特許

J-GLOBAL ID：200903082044362041

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 川島 寛之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361936
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163266
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 パターニングなどの工程増を抑制し、配線間容量を低減させるとともに、配線材料を被覆する拡散バリア膜との密着性や機械的強度にも優れ、絶縁膜の加工性にも優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】 基板11上の第1の絶縁膜12に配線溝13を形成する工程と、配線溝13の側壁にサイドウォール層14を形成する工程と、サイドウォール層14が形成された配線溝13の内部に導電性材料を埋め込んで配線17を形成する工程と、サイドウォール層14を選択的に除去することで、配線溝13の側壁と配線17との間に一定幅wの空間aを設ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記配線溝の側壁にサイドウォール層を形成する工程と、前記サイドウォール層が形成された前記配線溝の内部に導電性材料を埋め込んで配線を形成する工程と、前記サイドウォール層を選択的に除去することで、前記配線溝の側壁と前記配線との間に一定幅の空間を設ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 B

Fターム (68件)：

5F033HH11 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK11 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR30 ,  5F033SS02 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX06 ,  5F033XX20 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-058593   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-354304   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-354133
  
• 特開平2-031448