特許

J-GLOBAL ID：200903031011167770

炭素でド-ピングした接触層を含む光学装置

発明者： ウトパル クマー チャクラバーティ ,  ロバート アラン ハム ,  ジョセフ ブリアン セイラー ,  グレブ イー. シュテングル ,  ローレンス エドウィン スミス
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031580
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、被覆領域(15)および導波領域(14)内でのZnの問題を緩和する光学装置およびその製造方法である。【解決手段】 接触領域(16)は、二つの成分からなる材料でpタイプのドーピング剤としての働きをする炭素を含む。

請求項（抜粋）：

光学装置(10)であって、導波領域、導波領域と低い抵抗で接触するように、十分な電気伝導度を達成するために、炭素からなるpタイプのドーピング剤を含む接触領域上に形成された、InGaAsおよびInGaAsPから選択した半導体接触領域(16)を特徴とする半導体導波領域(14)と、前記導波領域に隣接して形成された、Znからなるドーピング剤を含む被覆領域(15)を備える装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-214190
  
• 半導体発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-266396   出願人：富士通株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-291337   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭61-258487