半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291337
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135567
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子において、従来使用されているII族元素であるMg、Zn、Beなどのp型ドーパントでは、拡散係数が大きいため高濃度ドーピングができないという問題があった。なぜなら、活性層まで拡散が起こると、活性層内部に非発光センターを形成するために、発光効率が低下し、信頼性に対して悪影響を及ぼし、また、コンタクト層からの拡散によるキャリア濃度の低下で動作電圧増大の問題を生じる。また、p型ドーパントとして拡散係数が小さいカーボンは、拡散効率を上げるため低温で成長させる必要があるが、その場合に半導体に結晶欠陥が生じるため、非発光センターを形成する問題があった。【解決手段】本発明では、第2導電型のコンタクト層108のドーパントはカーボンであり、前記第2導電型のクラッド層106、107のドーパントはII族元素とした半導体レーザー素子を提供することによって、低動作電圧で駆動でき、電流光特性の良好な半導体レーザ素子を提供する。

請求項（抜粋）：

第1電型の半導体基板上方に、活性層と、第2導電型のクラッド層とが形成され、前記第2導電型のクラッド層の上に、第2導電型のコンタクト層を有するIII-V族化合物半導体からなる半導体レーザ素子において、前記第2導電型のコンタクト層のドーパントのみカーボンであることを特徴とする半導体レーザー素子。

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-228286 出願人：信越半導体株式会社
半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222855 出願人：富士通株式会社
特開昭63-164484

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