特許
J-GLOBAL ID：200903031027159743

固体撮像装置及びその動作方法

発明者：
押久保 弘道

押久保 弘道 について

, 
足立 理

足立 理 について


出願人/特許権者：
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036978
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205638
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】広いダイナミックレンジを維持しながら、特に低照度領域で高感度化及び高S/N比化を実現することできる固体撮像装置及びその動作方法を提供する。【解決手段】光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードPDと、フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタTr1と、転送トランジスタを通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンを介してフォトダイオードに接続して設けられた付加容量素子CSと、フローティングディフュージョンと付加容量素子のポテンシャルを結合または分割する容量結合トランジスタTr2と、付加容量素子またはフローティングディフュージョンに接続されたリセットトランジスタTr3を有する画素が半導体基板にアレイ状に複数個集積され、フローティングディフュージョンの容量がフォトダイオードの容量よりも小さい構成である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードと、 前記フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタと、 前記転送トランジスタを通じて前記光電荷が転送されるフローティングディフュージョンと、 前記フローティングディフュージョンを介して前記フォトダイオードに接続して設けられ、前記転送トランジスタを通じて前記フォトダイオードから転送される光電荷を蓄積す る付加容量素子と、 前記フローティングディフュージョンと前記付加容量素子とを結合または分割する容量結合トランジスタと、 前記付加容量素子または前記フローティングディフュージョンに接続され、前記付加容量素子及び/または前記フローティングディフュージョン内の光電荷を排出するためのリセットトランジスタと を有する画素が半導体基板にアレイ状に複数個集積されており、 前記フローティングディフュージョンの容量が、前記フォトダイオードの容量よりも小さい構成である 固体撮像装置。
IPC (2件)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H04N5/335 E ,  H01L27/14 A
Fターム (17件)：
4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  5C024AX01 ,  5C024CX43 ,  5C024GX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024HX17 ,  5C024HX35 ,  5C024HX50
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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