特許
J-GLOBAL ID：200903065228851418

固体撮像装置、光センサおよび固体撮像装置の動作方法

発明者：
須川 成利

須川 成利 について

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足立 理

足立 理 について

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矢幡 恭一

矢幡 恭一 について

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寺田 達矢

寺田 達矢 について


出願人/特許権者：
須川 成利

須川 成利 について

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日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322768
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328493
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
【課題】高感度高S/N比を維持したままで広ダイナミックレンジ化できる固体撮像装置および光センサと、高感度高S/N比を維持したままで広ダイナミックレンジ化するための固体撮像装置の動作方法を提供する。【解決手段】光を受光して光電荷を生成および蓄積するフォトダイオードPDと、フォトダイオードから溢れる光電荷を蓄積する蓄積容量素子CSとが、転送トランジスタTr1を介して接続されている構成の画素がアレイ状に集積されている。ここで、蓄積容量素子CSは、フォトダイオードPDの蓄積期間内から所定の期間の比率で設定された蓄積容量素子蓄積期間TCSにおいて、フォトダイオードPDから溢れる光電荷を蓄積する構成などとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を受光して光電荷を生成および蓄積するフォトダイオードと、 前記光電荷を転送する転送トランジスタと、 少なくとも前記転送トランジスタを介して前記フォトダイオードに接続して設けられ、前記フォトダイオードの蓄積期間内から所定の期間の比率で設定された蓄積容量素子蓄積期間において、前記フォトダイオードから溢れる光電荷を少なくとも前記転送トランジスタを通じて蓄積する蓄積容量素子と を有する画素がアレイ状に複数個集積されている固体撮像装置。
IPC (2件)：
H04N5/335 ,  H01L27/146
FI (3件)：
H04N5/335 E ,  H04N5/335 P ,  H01L27/14 A
Fターム (22件)：
4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA34 ,  4M118FA39 ,  4M118FA42 ,  5C024AX01 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ02 ,  5C024HX35
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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