特許

J-GLOBAL ID：200903031037434653

二酸化ケイ素の化学気相成長法

発明者： エイチ.エドワード オニール ,  モレー アブラハム リング ,  ジョン ジョージ マーティン
出願人/特許権者： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027487
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 二酸化ケイ素フィルムを基材上に成長させるための低温化学気相成長法を提供する。【解決手段】 この方法は、その上に成長させようとする基材を圧力が約0.1〜約2.0torrの真空中で250〜420°C(482〜788°F)の温度に加熱する工程と、この真空中へ、シランと酸素又は酸素含有シランと一緒に、共反応物として遊離基促進剤(例えばジ-t-ブチルペルオキシド、t-ブチルヒドロペルオキシド又はn-ブチルニトリット)を導入する工程を含む。

請求項（抜粋）：

下記の工程を含む、酸素-ケイ素源反応物を使用して化学気相成長反応器において基材上に二酸化ケイ素を成長させるための方法。当該反応器内の当該基材上に二酸化ケイ素を成長させるため、温度及び圧力条件、そして当該酸素-ケイ素源反応物を当該反応器へ導入する速度を維持する工程遊離基を生じさせ、当該反応器内での当該反応物の滞留時間に近い寿命を持つ促進剤を当該反応器へ導入する工程この促進剤を当該化学気相成長反応器内で当該酸素-ケイ素源反応物と反応させて当該基材上に二酸化ケイ素を成長させる工程

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C01B 33/12 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  C01B 33/12 Z ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077039   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-058677   出願人：日本電信電話株式会社