特許
J-GLOBAL ID：200903031039179448
窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189834
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040846
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 電極表面のAu層がp型コンタクト層内部に拡散するのを防止することにより、良好なコンタクト特性を有し、かつリードボンドやヒートシンクの融着に優れた窒化ガリウム系半導体のp型電極、及びこの電極を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 一般式Inx Aly Ga1-x-y N(x≧0、y≧0、x+y≦1)で表されるp型窒化ガリウム系半導体上に接して、Ni、Cr、Mgのそれぞれ単独からなる金属層、あるいはNi、Cr、Mgから選択される少なくとも1種以上を含む合金からなる金属層を有し、さらに該金属層の上にPt層を有し、さらに該Pt層の上にAuを含む金属層が積層された電極構造とする。
請求項（抜粋）：
一般式Inx Aly Ga1-x-y N(x≧0、y≧0、x+y≦1)で表されるp型窒化ガリウム系半導体上に接して、Ni、Cr、Mgのそれぞれ単独からなる金属層、あるいはNi、Cr、Mgから選択される少なくとも1種以上を含む合金からなる金属層を有し、さらに該金属層の上にPt層を有し、さらに該Pt層の上にAuを含む金属層が積層された構造を特徴とする窒化ガリウム系半導体のp型電極。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 B
, H01S 3/18
