半導体基板用研磨布のドレッサ-

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：半田昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106353
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】酸性スラリーを使用したメタルCMPにおいて、研磨布の目詰まりを除去し、研磨速度を安定化し、長寿命であり、品質および歩留まりの高い半導体製造を可能とする半導体基板用研磨布のドレッサーを提供する。【解決手段】チタン、ジルコニウムおよびクロムの内より選ばれた少なくとも1種を0.5wt%〜20wt%含有し、かつ金、白金および銀の内より選ばれた少なくとも1種を30wt%〜99.5wt%含有する融点600°C〜1200°Cの合金により、金属および/または合金からなる支持部材に、ダイヤモンド粒子が単層、ろう付けされていることを特徴とする、半導体基板の平坦化研磨工程で使用される研磨布のドレッサーである。また、前記ドレッサーの融点600°C〜1200°Cの合金の表面に耐酸性の高い薄膜を有することを特徴とするドレッサーである。

請求項（抜粋）：

半導体基板の平坦化研磨工程で使用される研磨布のドレッサーであって、チタン、ジルコニウムおよびクロムの内より選ばれた少なくとも1種を0.5wt%〜20wt%含有し、かつ金、白金および銀の内より選ばれた少なくとも1種を30wt%〜99.5wt%含有する融点600°C〜1200°Cの合金により、金属および/または合金からなる支持部材に、ダイヤモンド粒子が単層、ろう付けされていることを特徴とする半導体基板用研磨布のドレッサー。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 M , B24B 37/00 A

Fターム (6件)：

3C058AA01 , 3C058AA09 , 3C058AA19 , 3C058CA01 , 3C058CB10 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-166432 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平3-131475
特開平3-131475

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