特許

J-GLOBAL ID：200903031056621480

熱安定性を有するMTJセルの製造方法および装置

発明者： スローター、ジョン ,  テラニ、サイード ,  チェン、ユージン ,  ダーラム、マーク ,  デエレラ、マーク ,  デイブ、レヌ ホイッグ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-521374
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521478
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

磁性材料層(62、66)の間に材料のトンネル層(64)を含み、材料のトンネル層が、磁性材料の層よりも第3の材料を強く引き付けるMTJセル(50)。第3の材料は、セルが加熱されたときに磁性材料層からトンネル層に第3の材料が再分配されるように一方または両方の磁性材料層に導入される。再分配されると、トンネル層はトンネル障壁材料となる。また、第1の拡散障壁層(67)が、第1の金属電極(68)と磁性材料層の1つ(66)との間に配置され、かつ/または第2の拡散障壁層が、第2の金属電極と他の磁性材料層との間に配置され、磁性材料層内への電極内の金属の拡散を防止する。

請求項（抜粋）：

第1の金属電極、該第1の金属電極と電気的に接続する第1の磁性材料の層、材料のトンネル層、第2の磁性材料の層、および該第2の磁性材料の層に対して電気的に接続される第2の金属電極とからなる材料の積層を形成する工程であって、 材料の積層を形成する工程が、 前記第1の磁性材料の層の上に、前記第1の磁性材料の層よりも第3の材料をより強く引き付け、かつ、前記第3の材料と共にトンネル障壁材料を形成する、材料のトンネル層を配置する工程と、 第2の磁性材料の層よりも第3の材料を強く引き付ける該材料のトンネル層の上に第2の磁性材料の層を配置する工程と、 前記第1の層の上に材料のトンネル層を配置する工程の際に、第1の磁性材料の層と第2の磁性材料の層との一方に第3の材料を導入し、前記第2の磁性材料の層を前記材料のトンネル層の上に配置する工程と、 積層を形成する工程において、第1の金属電極と第1の磁性材料の層、および第2の金属電極と第2の磁性材料の層との間の一方に第1の拡散障壁層を配置する工程と、 第1の磁性材料の層と第2の磁性材料の層との一方から材料のトンネル層に第3の材料を再分配すべく積層を加熱する工程と、からなるMTJセルを製造する方法。

IPC (3件)：

H01L43/12 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-350925   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特許第2871670号
  
• 磁気トンネル素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-374595   出願人：ヤマハ株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111419   出願人：株式会社東芝