特許
J-GLOBAL ID：200903031061802663
光電変換装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086063
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296712
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】低コストで信頼性の高い光電変換装置を提供することを目的とする。【解決手段】一方の電極となる基板1上に一導電型を呈する粒状結晶半導体2を多数配設し、この粒状結晶半導体2間に絶縁体3を介在させ、この粒状結晶半導体2上に逆導電型を呈する半導体層4を形成し、この逆導電型を呈する半導体層4上に他方の電極となる導電層5を形成した光電変換装置であって、上記絶縁体3が250°C以下で硬化するポリイミドから成り、上記粒状結晶半導体の下部において半導体層4と導電層5との間に介在することから、清浄な広いPN接合面を確保でき、またPN接合に熱的ダメージを与えることなく絶縁体3を形成できることから、従来の光電変換装置と比較して、低コストで高い変換効率を有する光電変換装置を容易に製造することができ、よって信頼性の高い光電変換装置を提供できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の電極となる基板上に一導電型を呈する粒状結晶半導体を多数配設し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を介在させ、この粒状結晶半導体上に逆導電型を呈する半導体層を形成し、この逆導電型を呈する半導体層上に他方の電極層を形成した光電変換装置において、前記絶縁体がポリイミドからなり前記粒状結晶半導体の下部において前記逆導電型を呈する半導体層と他方の電極となる導電層との間に介在することを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F051AA03
, 5F051CB12
, 5F051CB24
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA16
, 5F051GA02
審査官引用 (7件)
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特開平2-073671
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特開平3-168214
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特開平4-207085
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