半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-335311
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186326
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】微細化・高速化可能な半導体装置に必要なNiシリサイド層を形成する際に、低抵抗層であるNiSi層を安定して形成すると共にシリコン-シリサイド界面抵抗を低減する。【解決手段】シリコン基板100上にゲート電極103が形成されている。シリコン基板100におけるゲート電極103の両側にソース・ドレイン領域となる不純物拡散層109が形成されている。不純物拡散層109上に積層シリサイド層114が形成されている。積層シリサイド層114は、界面層であるHfシリサイド層111と、表面層であるNiシリサイド層113とから構成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたゲート電極と、前記シリコン基板における前記ゲート電極の両側に形成されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域上に形成されたシリサイド層とを備え、前記シリサイド層は、主に生成エンタルピーがNiSiよりも小さい金属シリサイドからなる第1のシリサイド層と、前記第1のシリサイド層上に形成され且つNiシリサイドからなる第2のシリサイド層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (3件)：

H01L29/78 301P , H01L21/28 301S , H01L29/50 M

Fターム (51件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104DD02 , 4M104DD26 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F140AA10 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF18 , 5F140BF19 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG30 , 5F140BG35 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ18 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK22 , 5F140BK29 , 5F140BK32 , 5F140BK34 , 5F140BK35 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6689688号公報(Paul Raymond Besser 、Method And Device Using Silicide Contacts For Semiconductor Processing、2004年2月10日

審査官引用 (2件)

半導体装置の電極部及び電極部の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146947 出願人：ソニー株式会社
低減された界面粗さ(界面ラフネス)を有するニッケルシリサイド
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-548264 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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