半導体装置及び該製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：楠本高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264819
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】予備半田を用いる従来の半田付け工数を減少させるとともに、強固に半田付けすることにある。【構成】絶縁基板22上に被着形成された回路の少なくとも取出し電極24が導電性金属酸化物から成り、該取出し電極24に電気的良導体12から成る導線10が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田16により半田付けして半導体装置を構成した。また、他の半導体装置は、絶縁性金属酸化物から成る絶縁基板22上に被着形成された回路の少なくとも取出し電極24が導電性金属酸化物薄膜又は金属薄膜から成り、該取出し電極24部に形成された開口部25を通して電気的良導体12から成る導線10が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田16により前記絶縁基板22に半田付けされるとともに、該取出し電極24の非開口部において該導線10が電気的に接続されて構成されていることにある。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に被着形成された回路の少なくとも取出し電極が導電性金属酸化物から成り、該取出し電極に電気的良導体から成る導線が鉛、錫、亜鉛及びアンチモンを必須成分とする半田により半田付けされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/607

FI (3件)：

H01L 31/04 M , H01L 21/607 A , H01L 31/04 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-005594
特開昭46-035318
太陽電池の半田部形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-003239 出願人：三洋電機株式会社

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