特許
J-GLOBAL ID：200903031112654508
スピネル系フェライトを利用した負の温度係数サーミスタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401346
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338805
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 負の温度係数サーミスタ素子の保護層を改善して外部の環境変化による素子の安定性、特に、優秀な耐浸食性を持ちながらも低価で製造が可能な負の温度係数サーミスタ素子と、フェライト系組成物を利用して優れた耐浸食性とともに向上された熱的安定性を持つ単板形負の温度係数サーミスタ素子と、中間絶縁層または中間保護層としてフェライトシートを用いて多機能形負の温度係数サーミスタ素子を提供する。【解決手段】 サーミスタ積層体と、積層体内に形成された内部電極と、積層体を外部と連結する外部連結用電極と、外部連結用電極と電気的に連結され、積層体の長手方向の両側面に形成される側面電極と、積層体の上下面に積層され、スピネル系フェライトを含有する外部保護層からなる。
請求項（抜粋）：
サーミスタ積層体と、前記積層体内に形成された内部電極と、前記積層体を外部と連結する外部連結用電極と、前記外部連結用電極と電気的に連結され、前記積層体の長手方向の両側面に形成される側面電極と、前記積層体の上下面に積層され、スピネル系フェライトを含有する外部保護層からなることを特徴とする負の温度係数サーミスタ素子。
Fターム (8件)：
5E034BA07
, 5E034BC01
, 5E034DA07
, 5E034DB03
, 5E034DB11
, 5E034DC01
, 5E034DC05
, 5E034DE08
