特許
J-GLOBAL ID：200903031117979111
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003585
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 保存時においては磁化安定性が高く、記録時においては弱い磁界でも磁化反転し消費電力が小さく、安定した記録再生ができ、高集積化が可能な磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化は反平行状態を示し、第1磁性層、第2磁性層およびこれらに接して設けられた第3磁性層により非磁性層を囲むように閉磁路が構成され、第3磁性層のキュリー温度が第1磁性層および第2磁性層のキュリー温度より低い磁性薄膜メモリ素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化は反平行状態を示し、第1磁性層、第2磁性層およびこれらに接して設けられた第3磁性層により非磁性層を囲むように閉磁路が構成され、第3磁性層のキュリー温度が第1磁性層および第2磁性層のキュリー温度より低いことを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
引用特許：
引用文献：
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