特許
J-GLOBAL ID：200903031122594830

鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物及びコンデンサ内蔵多層基板

発明者：
鈴木 康義

鈴木 康義 について

, 
露木 博

露木 博 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116809
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200267
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】本発明は、鉛系ペロブスカイト化合物を含む誘電体層を有するコンデンサ部を内蔵する多層基板において、焼成時の誘電体層の誘電率の劣化を抑えることができるような鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物及びそのガラス組成物、更には、焼結性の高い誘電体材料を用いたコンデンサ内蔵多層基板を用いたコンデンサ内蔵多層基板を提供するものである。【解決手段】Al2O310〜35モル%、CaO20〜60モル%、SiO28〜40モル%からなる鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物を含有する基板材料21〜24を用いることにより誘電体31の誘電率の劣化を抑えることができる。また上記ガラス組成物は、さらにMgO、BaO及びSrOから選択される少なくとも1種の酸化物を30モル%以下含有してもよく、さらにTiO2を10モル%以下含有してもよい。また、鉛シリケイト化合物を鉛ペロプスカイト化合物に添加することにより、更に、同時焼成した誘電体の誘電率を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
Al2O310〜35モル%、CaO20〜60モル%、SiO28〜40モル%からなる鉛系誘電体内蔵基板用ガラス組成物。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 1/16
FI (3件)：
H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 1/16 D
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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