特許
J-GLOBAL ID：200903031139921583
薄膜磁性体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187946
公開番号（公開出願番号）：特開2004-030826
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】磁気的ノイズによる非選択メモリセルへのデータ誤書込を防止した動作信頼性の高い薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】ライトワード線WWLごとに配置されたライトドライブ回路WWDによって、選択行のライトワード線WWLにはデータ書込電流Iwwが供給され、選択行に隣接するライトワード線WWLにはデータ書込電流と反対方向に磁界キャンセル電流ΔIwwが供給される。各ライトドライブ回路WWDにおいて、データ書込電流Iwwは、ドライバトランジスタ101および102の両方のターンオンによって供給され、磁界キャンセル電流ΔIwwは、ドライバトランジスタ102のみのターンオンによって供給される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
各々が記憶データに応じた方向に磁化される磁性体を有する複数の磁性体メモリセルが行列状に配置されたメモリアレイと、
メモリセル行にそれぞれ対応して設けられる複数の書込選択線と、
メモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、選択列において書込データに応じた方向の電流が流される複数のデータ線と、
前記複数の書込選択線にそれぞれ対応して設けられ、行選択結果に応じて前記複数の書込選択線への選択的な電流供給を制御するための複数の書込駆動回路とを備え、
各前記書込駆動回路は、複数の電流駆動部を含み、
選択行に対応する書込駆動回路は、前記複数の電流駆動部の少なくとも一部である第1の数の電流駆動部を用いて、対応する書込選択線へデータ書込電流を供給し、
前記選択行の隣接行に対応する書込駆動回路は、前記第1の数の電流駆動部の一部を用いて、対応する書込選択線に対して前記データ書込電流よりも小さい磁界キャンセル電流を、前記選択行に対応する書込選択線での前記データ書込電流と反対方向に供給し、
各前記書込選択線において、対応するメモリセル行の選択時における前記データ書込電流と前記隣接行の選択時における前記磁界キャンセル電流とは、同一方向に供給される、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 140
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083KA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA10
, 5F083LA16
, 5F083ZA28
