特許
J-GLOBAL ID：200903031161930030

光記録媒体

発明者：
菊川 隆

菊川 隆 について

, 
宇都宮 肇

宇都宮 肇 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-229479
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 非線形光学材料層と相変化型記録層とを近接させて積層することにより、回折限界を超える微小記録マークの再生が可能な光記録媒体において、高C/Nを実現すると共に、再生に伴うC/N低下を抑えることである。【解決手段】 マスク層(非線形光学材料層)と相変化型の記録層とが中間誘電体層を介して設けられ、マスク層側から再生光ビームを照射することにより光学的開口がマスク層に形成される光記録媒体であって、中間誘電体層の厚さが5〜70nmであるか、再生の際に前記光学的開口付近に生成する近接場光を利用するものであり、記録層が、Ag、In、SbおよびTeを主成分とし、副成分としてGeおよび/またはNを含有する光記録媒体。
請求項（抜粋）：
マスク層と相変化型の記録層とが中間誘電体層を介して設けられ、マスク層側から再生光ビームを照射することにより光学的開口がマスク層に形成される光記録媒体であって、中間誘電体層の厚さが5〜70nmであり、記録層が、Ag、In、SbおよびTeを主成分とし、副成分としてGeおよび/またはNを含有する光記録媒体。
IPC (5件)：
B41M 5/26 ,  C22C 5/06 ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 535 ,  G11B 7/24 538
FI (5件)：
B41M 5/26 X ,  C22C 5/06 Z ,  G11B 7/24 511 ,  G11B 7/24 535 G ,  G11B 7/24 538 A
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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