特許
J-GLOBAL ID：200903031209917554
テトラシクロドデセン誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前島 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055350
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 テトラシクロドデセン(TCD)誘導体の製造において、重質分の副生を低減すると共に、発熱を抑制して安全に反応を進行させる製造方法を提供する。【解決手段】 ジシクロペンタジエン(DCPD)、炭素数2から10のオレフィン、およびシクロペンタジエン(CPD)と炭素数2から10のオレフィンとのディールス-アルダー付加体を加熱反応させて TCD誘導体を製造するにあたり、DCPD中の初期のCPD含有量が10質量%以下であり、かつDCPDの初期濃度を用いて特定の関係式から求められるCPDの平衡濃度を2mol/kg以下にする。
請求項（抜粋）：
ジシクロペンタジエン、炭素数2〜10のオレフィン、およびシクロペンタジエンと炭素数2〜10のオレフィンとのディールス-アルダー付加体を加熱反応させてテトラシクロドデセン誘導体を製造するにあたり、ジシクロペンタジエン中の初期のシクロペンタジエン含有量が10質量%以下であり、かつ、ジシクロペンタジエン(DCPD)の初期濃度を用いて下記式(1)で求められるシクロペンタジエン(CPD)の平衡濃度を2mol/kg以下にすることを特徴とするテトラシクロドデセン誘導体の製造方法。 [CPD]=2×α×[DCPD](0) ・・・・・・・・・(1)〔式中、[DCPD](0)はDCPDの初期濃度(mol/kg)であり、初期のCPDはDCPDとしての濃度に換算する。なお、式(1)のαは、下記式(2)および(3)から求める。 α=[-K+(K2+16K)0.5]/8 ・・・・・・・・・・・(2) K=1.63×106 exp(-7.83×103/T) ・・・・・・(3)ただし、Tは反応温度(絶対温度)である。〕
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4H006AA02
, 4H006AC28
, 4H006BC10
, 4H006BC31
, 4H006BC38
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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