特許
J-GLOBAL ID：200903031253312015
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043991
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243874
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 柱状電極とランド部との接着性を向上させつつ、柱状電極の応力緩和作用も増加させることができ、また製造時間も短縮可能とする。【解決手段】 半導体装置30は、電極端子14が形成された半導体チップ面に、半導体チップ12の電極端子14を露出して絶縁被膜18が形成されている。絶縁被膜18上に一端側が半導体チップ12の電極端子14に接続された配線パターン20が形成され、かつ各配線パターン20の他端側に形成されたランド部20aの表面に柱状電極32が立設されている。各柱状電極32の頂部端面を露出して半導体チップ面を封止する封止層28が形成されている。そして、ランド部20aの表面に立設された柱状電極32が、導電性金属からなる芯材34と、芯材34が埋没するように電解めっきにより形成された金属柱状体36とからなる。
請求項（抜粋）：
電極端子が形成された半導体チップ面に、該半導体チップの電極端子を露出して絶縁被膜が形成され、該絶縁被膜上に一端側が前記半導体チップの電極端子に接続された配線パターンが形成され、かつ該各配線パターンの他端側に形成されたランド部の表面に柱状電極が立設され、該各柱状電極の頂部端面を露出して前記半導体チップ面を封止する封止層が形成された半導体装置において、前記ランド部の表面に立設された柱状電極が、導電性金属からなる芯材と、該芯材が埋没するように電解めっきにより形成された金属柱状体とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 F
