特許
J-GLOBAL ID:200903031356551590

ペリクルを有するマスク、ペリクル劣化を判定する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-183500
公開番号(公開出願番号):特開2004-046177
出願日: 2003年06月26日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】フォトマスクの製造で、マスク上のテスト構造での重なり合いを測定することによってペリクル劣化を定量的に測定するマスク構造/方法を提供すること。【解決手段】構造が、ペリクル劣化が物体のプリントに影響を及ぼすような、マスクの低透過領域と高透過領域の間の遷移領域に近接している高透過領域に位置する。第2の構造が、第2の構造のプリントが第1の構造と重なり、ペリクル劣化の尺度を与えるように低透過領域に位置する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ペリクルを有するマスクであって、 第1のモニタ構造および第2のモニタ構造を有し、 前記第1のモニタ構造が、ペリクルの劣化がオブジェクトのプリントに影響を与えるマスクの不透明な領域と透明な領域の間の遷移部分に近接した透明な領域に位置し、 前記第2のモニタ構造が、プリントされたときに前記第1のモニタ構造と重なるように前記マスク上に位置する、 マスク。
IPC (2件):
G03F1/14 ,  H01L21/027
FI (2件):
G03F1/14 J ,  H01L21/30 502P
Fターム (1件):
2H095BC32
引用特許:
審査官引用 (8件)
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