特許
J-GLOBAL ID：200903031362580640
フォトマスクブランク用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-280466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-043838
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【解決手段】 基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨するフォトマスクブランク用基板の製造方法。【効果】 本発明により製造される基板は、ウェハー露光時に良好な表面平坦形状を示すものであり、この基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、基板表面の反りが小さく平坦性の高い状態となりウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することが可能である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、この帯状領域が、基板外周に向かって各々下向きに傾斜していると共に、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であるフォトマスクブランク用基板を製造する方法であって、
基板原板を、上記上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域とこの四角リング形状領域の内周縁の内側に存するパターン形成領域とで構成される主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下となるように研磨して研磨中間品を得、次いでこの研磨中間品を更に研磨することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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