特許

J-GLOBAL ID：200903031375495200

ドライエッチング方法

発明者： 松下 誠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066222
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260354
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 Ti膜4のドライエッチングにおいて、Ti膜4の成膜時あるいはその後の熱工程により、酸素がTi膜4の表面に吸着したり、膜中に取り込まれたりして、Ti膜4のエッチングを妨げていた。【解決手段】 塩素系ガスによるTi膜4のドライエッチングに先立って、炭素、硫黄、または水素を含む還元性ガス、例えばCF4を用いてドライエッチングして還元作用により酸素を除去する。

請求項（抜粋）：

Ti系金属膜のドライエッチングにおいて、炭素、硫黄、または水素を含む還元性ガスを用いてドライエッチングを行った後、続いて塩素系ガスを用いてドライエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284166   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124444   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-094535
  
• Pt膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175364   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-094535