不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340964
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】カップリング比γpgmの変動に起因する、書き込み非選択のセルや、“1”書き込みするセルの浮遊ゲートに電子が注入されてしまうような誤書き込み、およびリードディスターブの発生を抑制すること。【解決手段】 P型シリコン基板1に、トンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲート5と、この浮遊ゲート5の第1の面22に、インターポリ絶縁膜を介して対向した制御ゲートと、浮遊ゲート5の第2の面23に、ブースタープレート絶縁膜を介して対向したブースタープレートとを具備する。そして、浮遊ゲート5の、トンネル絶縁膜を介して基板1と対向する幅、インターポリ絶縁膜を介して制御ゲートと対向する幅、およびブースタープレート絶縁膜を介してブースタープレートと対向する幅それぞれを、互いに等しい幅“b”とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートの第1の面に、第2の絶縁膜を介して対向した制御ゲートと、前記浮遊ゲートの第2の面に、第3の絶縁膜を介して対向したブースター電極とを具備し、前記第1の絶縁膜を介して前記半導体基板と対向する前記浮遊ゲートの幅、前記第2の絶縁膜を介して前記制御ゲートと対向する前記浮遊ゲートの幅、および前記第3の絶縁膜を介して前記ブースター電極と対向する前記浮遊ゲートの幅がそれぞれ略等しいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-163376
特開昭62-163376
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051950 出願人：株式会社東芝

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