電界効果型トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡崎豊野
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-133253
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335960
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】汎用スイッチング電源等に用いられるエンハンスメント型動作のFETとして、高いモビリティーを有するワイドギャップ半導体のAlGaN/GaNへテロ構造FET技術を活用して、動作抵抗の低減により通電損失の低減を図ることができ、特にGaN系FETでの完全な動作を実現する。具体的には、ゲート電圧を0Vとした場合にソース・ドレイン間の電流が流れないエンハンスメント型動作を行える電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】第一の窒素化合物膜からなるAlGaN層3と、該AlGaN層3とは異なる組成を有する第二の窒素化合物膜からなるGaN層2とを形成するヘテロ構造を備えた電界効果型トランジスタであって、上記第一の窒素化合物膜と第二の窒素化合物膜との結晶界面において発生するピエゾ電界効果を相殺させるための応力緩和層としてGaN層4が、さらに一層以上形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一の窒素化合物膜からなるチャネル層と、該チャネル層とは異なる組成を有する第二の窒素化合物膜からなるバッファ層とを形成するヘテロ構造を備えた電界効果型トランジスタであって、上記第一の窒素化合物膜と第二の窒素化合物膜との結晶界面において発生するピエゾ電界効果を相殺させるための応力緩和層が、さらに一層以上形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/80 H , H01L29/78 618E , H01L29/78 617V

Fターム (37件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GV05 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

後面にドナーをドープしたヘテロ構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-500626 出願人：エルハルドコーン
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-248484 出願人：株式会社東芝
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-347634 出願人：日本電気株式会社

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