特許

J-GLOBAL ID：200903055201945598

電界効果トランジスタ

発明者： 中山 達峰 ,  大野 泰夫 ,  国弘 和明 ,  笠原 健資 ,  高橋 裕之 ,  宮本 広信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347634
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174285
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 ゲート電極-ソース電極間の抵抗値が高くなるような結晶層構造においても、ゲート電極-ソース電極間の抵抗値を低くでき、とりわけ、エンハンスメントモードで動作させる場合、高周波特性にすぐれた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース電極106が、ゲート電極105が形成されているキャリア走行層102の面と反対側の面のキャリア走行層102側に形成されている構造、又はゲート電極706とキャリア走行層702との間に絶縁体層704が介在し、かつ、ゲート電極706が、ソース電極703と絶縁体層704を介して離間している構造とする。

請求項（抜粋）：

ソース電極とドレイン電極間のキャリア走行層として窒化物半導体層を有し、前記キャリア走行層のキャリアの走行を絶縁体層を介してゲート電極で制御する電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極が、前記ゲート電極が形成されている前記キャリア走行層の面と反対側の面の前記キャリア走行層側に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/80 H

Fターム (50件)：

5F040DA01 ,  5F040DB02 ,  5F040DC02 ,  5F040DC03 ,  5F040EB13 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC08 ,  5F040EC10 ,  5F040EC24 ,  5F040ED04 ,  5F040EE02 ,  5F040EH02 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GT02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE50 ,  5F110FF03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG60 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-104609   出願人：ソニー株式会社