特許
J-GLOBAL ID：200903079720021227

後面にドナーをドープしたヘテロ構造

発明者：
エルハルド コーン

エルハルド コーン について

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インゴ ダォミラー

インゴ ダォミラー について

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マルクス カンプ

マルクス カンプ について

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マティアス ゼイボス

マティアス ゼイボス について


出願人/特許権者：
エルハルド コーン

エルハルド コーン について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-500626
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535481
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：
【要約】本発明は、バッファ層または基板と、バッファまたは基板上に設けられたチャネルと、チャネル上に設けられたキャップ層とを備え、チャネルは圧電分極物質からなり、バッファまたは基板とチャネルとの間の境界面付近の領域、またはチャネルとキャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされるヘテロ構造に関する。
請求項（抜粋）：
バッファ層または基板と、前記バッファ層または基板上に設けられたチャネルと、前記チャネル上に設けられたキャップ層と、を備えるヘテロ構造であって、 前記チャネルは、圧電性物質からなり、 前記バッファまたは基板と前記チャネルとの間の境界面付近の領域、または前記チャネルと前記キャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされることを特徴とするヘテロ構造。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E
Fターム (13件)：
5F102FA00 ,  5F102GA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ09
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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