後面にドナーをドープしたヘテロ構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-500626
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535481
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】本発明は、バッファ層または基板と、バッファまたは基板上に設けられたチャネルと、チャネル上に設けられたキャップ層とを備え、チャネルは圧電分極物質からなり、バッファまたは基板とチャネルとの間の境界面付近の領域、またはチャネルとキャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされるヘテロ構造に関する。

請求項（抜粋）：

バッファ層または基板と、前記バッファ層または基板上に設けられたチャネルと、前記チャネル上に設けられたキャップ層と、を備えるヘテロ構造であって、前記チャネルは、圧電性物質からなり、前記バッファまたは基板と前記チャネルとの間の境界面付近の領域、または前記チャネルと前記キャップ層との間の境界面付近の領域は、それぞれの境界面に発生する圧電電荷が補償されるようにドープされることを特徴とするヘテロ構造。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 27/095 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 E

Fターム (13件)：

5F102FA00 , 5F102GA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ02 , 5F102GQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-170541 出願人：ソニー株式会社
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-104609 出願人：ソニー株式会社

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