特許
J-GLOBAL ID：200903031418512340

発光素子の製造方法及び発光素子

発明者：
萩本 和徳

萩本 和徳 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-172332
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353809
出願日： 2004年06月10日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 素子基板との貼り合わせ面側にAl含有化合物半導体層が配置される場合でも、該Al含有化合物半導体層のAl成分が酸化されることが効果的に防止され、ひいては素子基板との間の接触抵抗ひいては順方向電圧の低減が容易な発光素子を提供する。【解決手段】 発光層部24を有する化合物半導体層50に金属層10を介して素子基板7が貼り合わされた発光素子100の製造方法であって、少なくとも素子基板7の表面が粗面加工の状態であるものを使用し、この粗面状態の表面に金属層10として接合合金化層32、拡散防止層10c及び反射金属層をこの順に積層形成して前記化合物半導体層と貼り合わせる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層部を有する化合物半導体層に金属層を介して素子基板が貼り合わされ、該金属層の前記化合物半導体層との接合面が反射面を形成する発光素子の製造方法であって、少なくとも前記素子基板の表面が粗面加工の状態であるものを使用し、この粗面状態の表面に前記金属層として接合合金化層、拡散防止層及び貼り合せ金属層をこの順に積層形成して前記化合物半導体層と貼り合わせることを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (3件)：
H01L33/00 B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 D
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (6件)
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