特許
J-GLOBAL ID:200903003925964098

半導体発光素子の製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河村 洌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-310864
公開番号(公開出願番号):特開2004-146652
出願日: 2002年10月25日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
【課題】半導体積層部と導電性基板とを全面均一に貼り付け可能とし、動作不良を発生させず歩留りおよび信頼性が高く、かつ、外部への光の取出し効率の高い半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】たとえば、半導体積層部10を形成すると共に、その接着面側に金属層21を設け、ついで導電性基板1と接着用金属シート2を挟んで加圧し接着する。この接着用金属シート2に、10μm厚以上の低融点金属を用いることに特徴がある。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光層形成部を有する半導体積層部と導電性基板とを金属層を介して接合することにより形成する半導体発光素子の製法であって、 該半導体積層部と該導電性基板との間に、10μm厚以上の低融点金属からなる接着用金属シートを介して前記半導体積層部と前記導電性基板とを接合することを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (2件):
H01L33/00 ,  H01S5/02
FI (2件):
H01L33/00 B ,  H01S5/02
Fターム (24件):
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F073CA14 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA22 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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