特許

J-GLOBAL ID：200903011317503595

半導体ウエーハおよびその製造方法

発明者： 加藤 忠弘 ,  大國 ▲禎▼之 ,  池田 俊一 ,  岡部 啓一 ,  大嶋 久
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社 ,  直江津電子工業株式会社 ,  三益半導体工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150431
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 従来の平面研削・両面研磨法により製造された両面高光沢度ウエーハの裏面に関するデバイス工程での問題点を解決することができる裏面性状と高平坦度を有する半導体ウエーハの製造方法および半導体ウエーハを提供する。【解決手段】 両面を平面研削手段により平坦化した後、エッチング処理により加工変質層を除去し、その後片面研磨処理した半導体ウエーハであって、該ウエーハ裏面の光沢度が、20〜80%の範囲にある半導体ウエーハ、並びに少なくともインゴットをスライスしてウエーハを切り出し、該ウエーハの表裏両面を同時に研削し、次に表面と裏面を異なる研削条件で個別に研削する平面研削手段により平坦化した後、エッチング処理により平坦度を維持した状態でウエーハの加工変質層を除去し、その後、片面研磨処理を施すことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも両面を研削手段により平坦化した後、エッチング処理により加工変質層を除去し、その後片面研磨処理した半導体ウエーハであって、該ウエーハ裏面の光沢度が、20〜80%の範囲にあることを特徴とする半導体ウエーハ。

IPC (2件)：

H01L 21/304 601 ,  B24B 1/00

FI (2件)：

H01L 21/304 601 Z ,  B24B 1/00 A

Fターム (8件)：

3C049AA04 ,  3C049AA07 ,  3C049AA16 ,  3C049AA18 ,  3C049AB06 ,  3C049AC04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB01

引用特許：

審査官引用 (11件)

• 半導体ウェーハ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094878   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112915   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 特開平4-124823
  
• 特開平4-124823
  
• シリコンウェーハ及びその加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053093   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-323259   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウェ-ハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-227598   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 高平坦度ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191483   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 半導体ウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357982   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185105   出願人：住友シチックス株式会社
• 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298043   出願人：コマツ電子金属株式会社