特許
J-GLOBAL ID：200903031438348725
光電陰極及び電子管
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-032984
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233000
出願日： 1998年02月16日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 225nmよりも長い波長の被検出光を吸収し、真空中へ放出する光電陰極とこの光電陰極を備えた電子管とを提供すること。【解決手段】 被検出光を吸収して光電子を励起し、当該光電子を真空中へ放出する光電陰極において、被検出光を吸収することにより光電子を放出する半導体光吸収層4と、エネルギーギャップが半導体光吸収層4よりも大きく、光電子が透過すると共に、半導体光吸収層4上に形成される半導体電子放出層6と、半導体電子放出層6の表面の一部に形成された第一の電極10と、半導体電子放出層6の第一の電極10が形成されていない露出表面上に形成された仕事関数を低下させるための活性層8と、半導体光吸収層4に接続された第二の電極12とを備え、半導体電子放出層6は、ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン又はダイヤモンドを主成分とする材料からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被検出光を吸収して光電子を励起し、当該光電子を真空中へ放出する光電陰極において、被検出光を吸収することにより光電子を生成する半導体光吸収層と、エネルギーギャップが前記半導体光吸収層よりも大きく、前記光電子が透過すると共に、前記半導体光吸収層上に形成される半導体電子放出層と、前記半導体電子放出層の表面の一部に形成された第一の電極と、前記半導体電子放出層の前記第一の電極が形成されていない露出表面上に形成された前記半導体電子放出層の仕事関数を低下させるための活性層と、前記半導体光吸収層に電気的に接続された第二の電極とを備え、前記半導体電子放出層は、ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン又はダイヤモンドを主成分とする材料からなることを特徴とする光電陰極。
IPC (4件)：
H01J 1/34
, H01J 31/26
, H01J 40/06
, H01J 43/08
H01J 1/34 A
, H01J 31/26
, H01J 40/06
, H01J 43/08
