薄膜堆積用分子線源セル

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北條和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084868
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277913
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】基板1上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにし、また分子線源セルから発射される分子の絶対量を正確に測定出来るようにする。【解決手段】薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料aを収納する坩堝5と、この坩堝5の中の成膜材料aを加熱して昇華またたは蒸発させる加熱手段と、成膜材料aの分子を成膜する固体表面に向けて前記坩堝5から発生した分子を放出する分子放出口4とを有し、当該分子線源セル2に膜厚計11を固定して設け、坩堝5から前記分子放出口4に至る分子の通路の途中に、坩堝5から発生した分子の一部を前記膜厚計11に向けて発射させる膜厚計用分子通過路12を設けたものである。

請求項（抜粋）：

成膜材料(a)を加熱することにより、その成膜材料(a)を昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生する真空蒸着用分子線源セルにおいて、成膜材料(a)を収納する坩堝(5)と、この坩堝(5)の中の成膜材料(a)を加熱して昇華またたは蒸発させる加熱手段と、成膜材料(a)の分子を成膜する固体表面に向けて前記坩堝(5)から発生した分子を放出する分子放出口(4)とを有し、当該分子線源セル(2)に膜厚計(11)を固定して設け、坩堝(5)から前記分子放出口(4)に至る分子の通路の途中に、坩堝(5)から発生した分子の一部を前記膜厚計(11)に向けて発射させる膜厚計用分子通過路(12)を設けたことを特徴とする薄膜堆積用分子線源セル。

IPC (3件)：

C23C 14/24 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (3件)：

C23C 14/24 A , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

Fターム (7件)：

3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029CA01 , 4K029DB12 , 4K029EA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特公平5-032468
分子線エピタキシー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077136 出願人：日本真空技術株式会社
インターカレーション化合物薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-131732 出願人：日本電気株式会社

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