特許
J-GLOBAL ID:200903031525561443
セラミック電子部品およびその製造方法ならびに積層型セラミック電子部品およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小柴 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-274293
公開番号(公開出願番号):特開2002-084056
出願日: 2000年09月11日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 セラミック電子部品において、導体膜を金属箔によって形成しながら、この金属箔とセラミック部分との間において高い接合強度が得られるようにする。【解決手段】 キャリアフィルム1上に形成された金属箔2の表面3を酸化して酸化膜4を形成した後、金属箔2をセラミックグリーンシート5に転写する。金属箔2は、酸化膜4が形成された表面3においてセラミックグリーンシート5と接触する。この状態で、還元性雰囲気中での焼成工程を実施したとき、セラミックグリーンシート5によって与えられたセラミック層と金属箔2とが強く接合する状態が得られる。
請求項(抜粋):
キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程と、前記キャリアフィルムによって裏打ちされた前記金属箔の外側に向く表面を酸化する工程と、前記金属箔の酸化された前記表面を生のセラミック成形体に対向させた状態で、前記キャリアフィルムから前記生のセラミック成形体上に、前記金属箔を転写する工程と、前記金属箔が転写された前記生のセラミック成形体を還元性雰囲気中で焼成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法。
IPC (5件):
H05K 3/00
, H01G 4/30 311
, H05K 3/20
, H05K 3/38
, H05K 3/46
FI (5件):
H05K 3/00 R
, H01G 4/30 311 D
, H05K 3/20 B
, H05K 3/38 B
, H05K 3/46 H
Fターム (57件):
5E082AB03
, 5E082BC32
, 5E082EE03
, 5E082EE24
, 5E082EE26
, 5E082FF14
, 5E082FG25
, 5E082FG26
, 5E082FG44
, 5E082FG54
, 5E082LL02
, 5E082MM24
, 5E082PP09
, 5E343AA02
, 5E343AA24
, 5E343BB06
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB34
, 5E343BB39
, 5E343BB40
, 5E343BB44
, 5E343BB48
, 5E343BB71
, 5E343DD33
, 5E343DD56
, 5E343DD63
, 5E343EE52
, 5E343ER38
, 5E343ER39
, 5E343ER42
, 5E343ER52
, 5E343GG02
, 5E343GG04
, 5E343GG08
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA32
, 5E346AA51
, 5E346CC32
, 5E346CC35
, 5E346CC36
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346DD32
, 5E346EE24
, 5E346EE27
, 5E346EE28
, 5E346GG18
, 5E346GG22
, 5E346GG27
, 5E346GG28
, 5E346HH06
, 5E346HH11
, 5E346HH24
引用特許:
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