特許

J-GLOBAL ID：200903031532128011

高耐圧半導体装置

発明者： 菅原 良孝 ,  緒方 修二
出願人/特許権者： 関西電力株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357260
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190012
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 Σベベル構造の半導体装置においては、面積利用率向上のためベベル角を大きくするとpn接合表面部の電界強度が高くなり、絶縁破壊が生じる。半導体装置の耐圧はこのpn接合表面部の絶縁破壊により制限され、高耐圧化が困難であった。【解決手段】 Σベベル構造の半導体装置の端部に不純物濃度を下げた半導体領域を設ける。

請求項（抜粋）：

第1の導電型をもつ半導体基板、前記半導体基板の一方の面に設けられて前記半導体基板との間に接合を形成する第1の導電型と同じ導電型でかつ不純物濃度が前記半導体基板より高い第1の半導体層、前記第1の導電型と反対の第2の導電型をもち、前記半導体基板の他方の面との間に接合を形成して設けられた第2の半導体層、前記第1の半導体層の上に設けられた第1の電極及び前記第2の半導体層の上に設けられた第2の電極を有し、かつ前記半導体基板、第1の半導体層及び第2の半導体層はΣベベル構造を有し、前記第2の導電型の第2の半導体層の不純物濃度より低い不純物濃度の第2の導電型の半導体領域を前記第2の半導体層の周辺部に設けたことを特徴とする高耐圧ダイオード半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744

FI (5件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016663   出願人：株式会社日立製作所
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063251   出願人：株式会社日立製作所