特許
J-GLOBAL ID：200903079180377167
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016663
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213590
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高耐圧化と大電流化を同時に実現できる素子構造を提供することを目的とする。【構成】本発明による半導体装置は、ベベル端面領域におけるpベース層の不純物濃度を動作領域よりも低濃度にするとともに、これらの領域の間に寄生チャネル防止領域を設ける。【効果】耐圧特性と通電特性を独立して調整することができるので、耐圧と電流容量をともに向上することができる。
請求項（抜粋）：
一方導電型の第1半導体層と,他方導電型の第2半導体層と,一方導電型の第3半導体層と,他方導電型の第4半導体層と、を有する半導体基体と、第1半導体層に設けられる第1主電極と、第4半導体層に設けられる第2主電極と、を備え、半導体基体の端部に隣接する第1領域における第3半導体層の平均不純物濃度が、第1領域の内側の第2領域における第3半導体層の平均不純物濃度よりも小さく、第1領域と第2領域との間において、第2主電極が第3半導体層に接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/74 F
, H01L 29/74 J
, H01L 29/74 E
, H01L 29/74 301
