特許
J-GLOBAL ID：200903031538639409
気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 仁義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218303
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064544
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】この発明は、枚葉式気相成長方法に於いて、被処理基板に面内膜厚均一性の良好な膜を成膜することができる気相成長方法を提供することを目的とする。【構成】この発明に於いては、被処理基板の成長面に対向して、耐熱性材料から形成したリング状治具を被処理基板と間隔付けて配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ-内に被処理基板を収容し、反応ガスを前記処理チャンバ-内に供給し、前記被処理基板を加熱して気相成長させる枚葉式気相成長方法に於いて、前記被処理基板の成長面に対向して耐熱性材料から形成したリング状治具を被処理基板と間隔付けて配置し、被処理基板に気相成長させることを特徴とする気相成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/26
, H01L 21/31
